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Resultados da busca para "bipolar junction transistor"


a) Traduções técnicas inglês para português

(Substantivo)

Sigla em inglês BJT (bipolar junction transistor)

Meaning

A bipolar junction transistor (BJT) is a semiconductor device with three layers of material, forming two pn junctions. There are two types: NPN and PNP. It has three terminals - emitter, base, and collector. By controlling the current between the emitter and collector with a small current applied to the base, BJTs can amplify signals, act as switches, and perform various functions in electronic circuits.

   
Frases traduzidas contendo "bipolar junction transistor"

...hallow trench isolation) regions adjacent to the fin. Finally, the n-channel triple gate Bulk device is used for memory application, that is, 1T-DRAM (Dynamic Random Access Memory with 1 Transistor). bipolar junction transistor (BJT) programming mode is used to write and read 1 while the forward biasing of the body-drain junction is used to write 0. The reading and writing current increases with increasing body bias (VB) be...

...rpo de porta tripla de canal tipo-n é experimentalmente estudado como célula de memória, isto é, como 1T-DRAM (Memória de Acesso Aleatório Dinâmico com 1 transistor). Para escrever e ler 1 é utilizado um modo de programação que utiliza o efeito do transistor bipolar parasitário (BJT) enquanto a polarização direta da junção do corpo e do dreno é usada para escrever 0. As correntes de leitura e escrita aumentam com o aumento da tensão do corpo (VB) porque as cargas induzidas pelo efeito BJT é armazenada de...

...'s responsivity and voltages levels. A new photodetector with high responsivity and a multi-sampling time domain image system are investigated. This thesis proposes to use the gate controlled lateral bipolar junction transistor (GCLBJT) as a four terminal phototransistor as photodetector with high responsivity. This work presents the photopolarization principle, gain current mechanism of the GC-LBJT in conjuction with DC eq...

... a redução da tensão de alimentação. Um fotodetector de alta responsividade e um sistema de imagem CMOS multiamostrado no domínio do tempo são propostos nesta tese. Como fototransistor de elevada responsividade propõem-se nesta obra o uso do Transistor Bipolar Lateral Controlado por Porta (GC-LBJT) operando como fototransistor de 4 terminais. Apresenta-se a análise do princípio de funcionamento e o desenvolvimento de um circuito equivalente CC. A fotoresposta do GC-LBJT é investigada em duas diferentes c...


 
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